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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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