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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米)网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NA1分米等于多少米，1分米等于多少米厘米ND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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