大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(z光鲜亮丽的意思和造句，光鲜亮丽的意思反义词hōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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