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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安获利指数计算公式 获利指数和现值指数一样吗全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品获利指数计算公式 获利指数和现值指数一样吗服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidi获利指数计算公式 获利指数和现值指数一样吗gm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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