大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的(de)生(sh民盟的加入条件是什么，民盟的加入条件是什么样的ēng)产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(b民盟的加入条件是什么，民盟的加入条件是什么样的èi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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