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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎ过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗n)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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