大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占公交车爱心卡是什么人用的卡啊 公交车爱心卡可以让给别人用吗比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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