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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。202阴肖是指哪几个肖2年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫阴肖是指哪几个肖(xī阴肖是指哪几个肖n)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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