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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查分压公式是什么，分压公式是什么意思分压公式是什么，分压公式是什么意思办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性分压公式是什么，分压公式是什么意思，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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